FCPF9N60NT دیتاشیت

FCPF9N60N, FCPF9N60T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCPF9N60N, FCPF9N60T
حجم فایل 773.916 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت FCPF9N60N, FCPF9N60T-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: SuperMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: FCPF9
  • detail: N-Channel 600V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F

محصولات مشابه